美光據報新加坡加大記憶體晶片產能 應對全球供應短缺
更新時間：10:41 2026-01-27 HKT
發佈時間：10:41 2026-01-27 HKT
發佈時間：10:41 2026-01-27 HKT
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據路透引述消息報道，美國記憶體巨頭美光科技計劃在新加坡加大記憶體晶片產能，以應對全球記憶體嚴重短缺，預計最快於周二（28日）正式公佈。報道指，今次投資將集中於NAND快閃記憶體（Flash Memory）。
供應短缺料持續至2027年
目前美光科技全球約98%的快閃記憶體晶片均產自新加坡，而美光早前已宣佈斥資70億美元在當地興建先進封裝廠，專門生產用於AI晶片的高頻寬記憶體（HBM），該廠房預計於2027年正式投產。
不過，市場分析師普遍認為，儘管各大廠商正加速擴產，但全球記憶體供應短缺的局面，恐將持續至2027年下半年才有望完全緩解。
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